四探針電阻率測(cè)試儀（單電）

四探針電阻率測(cè)試儀（單電）半導(dǎo)體材料測(cè)試儀器主要用于測(cè)量半導(dǎo)體的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，如硅片、化合物半導(dǎo)體等。陶瓷材料測(cè)試儀器則用于測(cè)量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，如氧化鋁、氮化硅等。金屬材料測(cè)試儀器則用于測(cè)量金屬材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，如銅、鋁等。四探針電阻率測(cè)試儀（單電）四探針測(cè)試儀測(cè)量半導(dǎo)體的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，以確保半導(dǎo)體的質(zhì)量和性能符合要求。在陶瓷制造行業(yè)中，可以使用陶瓷材料測(cè)試儀器測(cè)量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數(shù)，以優(yōu)化陶瓷材料的配方和生產(chǎn)工藝。

技術(shù)參數(shù)：

1.電阻率：10-5～2×106Ω-cm
2.電   阻：10-5～2×106Ω

3.電導(dǎo)率：5×10-6～105ms/cm

4.分辨率： 小0.1μΩ測(cè)量誤差±（0.05%讀數(shù)±5字）

5.測(cè)量電壓量程： 2mV   20mV  200mV 2V 測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）

6.分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。
量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

8.顯示方式：液晶顯示電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算

9.傳感器壓力：200kg  (其他規(guī)格可以定制)

10.粉末測(cè)量裝置 模具：內(nèi)徑10mm；高：25mm；

加壓方式：手動(dòng)液壓加壓/自動(dòng)加壓方式（選購(gòu)）

11.電源：220±10% 50HZ/60HZ

12.主機(jī)外形尺寸：330mm*350mm*120mm

13.凈重量：約6kg

導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀功能介紹：本儀器采用四端測(cè)量法適用于碳素粉末廠、焦化廠、石化廠、粉末冶金廠、高等院校、科研部門(mén)，是檢驗(yàn)和分析粉末樣品質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).使用薄膜按鍵開(kāi)關(guān)面板，操作簡(jiǎn)單，耐用，符合人體工學(xué)操作規(guī)范. 提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面

8.1.1對(duì)十組測(cè)量數(shù)據(jù)中的每一組,用式(2)計(jì)算探針間距S, ,S2,,Sy

S = [(C, + D,)/2]-[(A, +B,)/2]

S,=[(E, + Fj)/2]-[(C, +D,)/2]

.....-(2)

S,,=[(G, +H,)/2]-[(E; +F;)/2]

式中:

S,~S,,--探針間距,單位為厘米(cm);

A~H一一探針壓痕的點(diǎn)位,見(jiàn)圖6所示,單位為厘米(cm);

腳標(biāo)j一組數(shù),取1到10。

8.1.2用式(2)得到的S,計(jì)算每一間距平均值S，如式(3):

-(0)s

………--………(3)

式中:i取 1,2,3.

8.1.3將按式(3)計(jì)算得到的S,和按式(2)計(jì)算得到的S。,利用式(4)分別計(jì)算3個(gè)間距的試樣標(biāo)準(zhǔn)

偏差a

?/÷[∑

....…...……(4)

8.1.4計(jì)算平均探針間距S,如式(5):

s=/(++)

...……………(5)

8.1.5計(jì)算探針系數(shù)C和適用于圓片測(cè)量時(shí)的探針間距修正因子F„,分別如式(6)和式(7):

C-

2x

…………----*(6)

京+¯+s¯s+S

1

F,=1+1.082[1-(/)

.......-.-*****……(7)

8.2利用7.1.3~7.1.4測(cè)量的數(shù)據(jù)計(jì)算模擬電路測(cè)量的平均電阻r和標(biāo)準(zhǔn)偏差o。

8.2.1如果采用直接測(cè)量電阻,用單個(gè)正向和反向電阻(無(wú)論是計(jì)算結(jié)果或是測(cè)量結(jié)果)均按式(8)計(jì)

算平均電阻,否則按8.2.2計(jì)算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,:

…………---…(8)

式中:

r-10個(gè)模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,中的任意一個(gè)值.

8.2.2根據(jù)測(cè)量值計(jì)算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,如式(9):

--中厚度修正系數(shù)F(W/S)表格范圍增加;

一按中文格式分直排四探針?lè)ā⒅绷鲀商结樂(lè)ㄟM(jìn)行編排。

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)ā泛虶B/T 1552-1995《硅、鍺

單品電阻率測(cè)定直排四探針?lè)ā贰?/p>

本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比，主要有如下變化:

一一刪除了鍺單晶測(cè)定的相關(guān)內(nèi)容;1范圍

本方法規(guī)定了用直排四探針?lè)y(cè)量硅單晶電阻率的方法.

本方法適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍

的硅單晶體電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。

本方法可測(cè)定的硅單晶電阻率范圍為1X10-Ω?cm~3X10' Ω.cm.

2環(huán)境要求

環(huán)境溫度為23℃±1℃,相對(duì)濕度不大于65%。

3干擾因素

3.1光照可能?chē)?yán)重影響觀察電阻率,特別是近似本征材料。因此,所有測(cè)試應(yīng)在暗室進(jìn)行,除非是待測(cè)

樣品對(duì)周?chē)墓獠幻舾小?/p>

3.2當(dāng)儀器放置在高頻于擾源附近時(shí),測(cè)試回路中會(huì)引入虛假電流，因此儀器要有電磁屏蔽。

3.3試樣中電場(chǎng)強(qiáng)度不能過(guò)大,以避免少數(shù)載流子注入。如果使用的電流適當(dāng),則用該電流的兩倍或

一半時(shí),引起電阻率的變化應(yīng)小于0.5%。

3.4由于電阻率受溫度影響,一般測(cè)試適用溫度為23℃±1 ℃.

3.5對(duì)于厚度對(duì)測(cè)試的影響,仲裁測(cè)量要求厚度按本方法的6.3規(guī)定測(cè)量,一般測(cè)量用戶可以根據(jù)實(shí)

際需要確定厚度的要求偏差。

3.6由于探針壓力對(duì)測(cè)量結(jié)果有影響,測(cè)量時(shí)應(yīng)選擇合適的探針壓力。

3.7仲裁測(cè)量時(shí)選擇探針間距為1.59mm,非仲裁測(cè)量可選擇其他探針間距。

4方法提要直排四探針測(cè)量示意圖

5測(cè)量?jī)x器

5.1探針裝置由以下幾部分組成。

5.1.1探針用鎢,碳化鎢或高速鋼等金屬制成,針尖呈圓錐型,夾角為45°~150*初始標(biāo)稱半徑為

25 μm~50 μm。

5.1.2探針壓力,每根探針壓力為1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分別用于硅單晶棒的電阻率測(cè)

量,也可選擇其他合適的探針壓力。

5.1.3絕緣性,一探針(包括連接彈簧和外部引線)與任何其他探針或裝置任一部分之間絕緣電阻大于

10’Ω.

5.1.4探針排列和間距,四根探針的應(yīng)成等間距直線排列。仲裁測(cè)量時(shí),探針間距(相鄰探針之間

的距離)標(biāo)稱值應(yīng)為1.59mm。其他標(biāo)稱間距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁測(cè)量,探針間距按7.2

測(cè)定。

5.1.5探針架,能在針尖幾乎無(wú)橫向移動(dòng)的情況下使探針下降到試樣表面.